Напряжение на выводах PN-перехода представляет собой определенный потенциальный барьер.При приложении напряжения прямого смещения потенциальный барьер падает, и основные носители в P- и N-областях диффундируют друг к другу.Поскольку подвижность электронов намного больше, чем подвижность дырок, большое количество электронов будет диффундировать в P-область, что представляет собой инжекцию неосновных носителей в P-область.Эти электроны рекомбинируют с дырками в валентной зоне, а полученная при рекомбинации энергия выделяется в виде энергии света.Это принцип излучения света PN-перехода.
